Projeto de um OTA Baseado em Inversores em Processo CMOS de 130 nm

Autores

DOI:

https://doi.org/10.33448/rsd-v9i6.3334

Palavras-chave:

Amplificadores operacionais; Inversores CMOS; Transcondutância diferencial; Tensão threshold; Descasamento.

Resumo

Nos processos de fabricação de amplificadores diferenciais integrados uma característica inerente é que os transistores nMOS e pMOS construídos possuam diferenças físicas em relação aos valores projetados, efeito conhecido como descasamento. Neste trabalho será avaliado o impacto que os processos de fabricação infligem em um amplificador operacional de transcondutância construído com transistores com canal uniformemente dopado e baixa tensão de threshold e transistores de canal uniformemente dopado com tensão de threshold regular utilizando uma pesquisa experimental quantitativa.

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Publicado

12/04/2020

Como Citar

SILVA, O. S.; BRAGA, R. A. da S.; KAROLAK, D. B.; SILVA, P. M. M. e. Projeto de um OTA Baseado em Inversores em Processo CMOS de 130 nm. Research, Society and Development, [S. l.], v. 9, n. 6, p. e51963334, 2020. DOI: 10.33448/rsd-v9i6.3334. Disponível em: https://rsdjournal.org/index.php/rsd/article/view/3334. Acesso em: 22 dez. 2024.

Edição

Seção

Engenharias